In questi anni abbiamo assistito a passi evolutivi molto rapidi da parte dei sensori fotografici. Il passaggio dai CCD ai CMOS e la 'rotazione' di questi ultimi con l'introduzione dei sensori retroilluminati BSI (Back Side Illuminated), i primi che hanno massimizzato l'esposizione dei fotodiodi rispetto alla circuiteria.
Oggi la punta di diamante del settore sono i sensori stacked, in cui i fotodiodi sono posti sullo strato superficiale, mentre parte della circuiteria è spostata in uno strato inferiore. Questa struttura vede anche, sempre nella parte inferiore, chip di memoria, per aumentare la velocità di lettura del sensore.
Canon alza la posta: sensore stacked a triplo strato
È facile immaginare come la prossima evoluzione dei sensori possa passare da un ulteriore sviluppo in altezza e infatti Canon ha presentato un brevetto relativo a un sensore a tre strati.
Le informazioni al momento non sono molto precise, ma dai documenti è possibile farsi un'idea della possibile struttura. Lo strato superiore è occupato in gran parte dai fotodiodi, con solo una piccola porzione di circuiteria con i transfer switch transistor. Nello strato immediatamente inferiore troviamo i circuiti ADC di conversione analogico-digitale, mentre tutto il resto della processazione del segnale è gestita dallo strato inferiore.
La struttura dovrebbe portare a massimizzare l'area dei fotodiodi e a rendere ancora più veloce la lettura del sensore, oltre - probabilmente - anche a rendere più efficiente il sensore dal punto di vista energetico.
È presto per dire se sarà questa la struttura del sensore della nuova Canon EOS R1, la vera ammiraglia mirrorless della casa biancorossa, prevista per questo 2024, ma molti scommettono che per fare un ulteriore passo in avanti potrebbe essere questa la tecnologia giusta.
La struttura in realtà non è molto dissimile rispetto a quella dei sensori Sony CMOS stacked con tecnologia 2-Layer Transistor Pixel, che ha già debuttato commercialmente sul formato ridotto con il sensore Exmor T dello smartphone Sony Xperia 1 V.